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标签“10nm”下的信息 >
  • 2017-12-24 17:16:19
    比特币等各种虚拟货币的暴涨暴跌搅动了整个世界,而为了挖矿,众多矿工也是不折手段,除了抢购各种显卡,专业矿机也是火爆异常。比如说比特大陆,2013年才成立,但却成了矿机中的战斗机,全球份额高达80-90%,据称每个月的净利润可达3000万美元,今年上半年就赚了10多亿人民币。而凭借自己设计的比特币、莱特币等挖矿专用ASIC芯片,比特大陆已经跃居中国IC设计公司前五名行列,利润更是远超其他厂商。比特大...
  • 2018-01-22 00:00:00
    前几天,三星已经宣布开始量产新一代10nm工艺GDDR6显存,单颗最大容量16Gb,也就是2GB,电压从上代1.5V再降低到1.35V,而工作频率高达16GHz,是上代的2倍,I/O数据带宽也提升至64GB/s。而最近,SK海力士则已经开始出货他们的GDDR6显存,但使用的似乎还是16nm工艺,单颗容量只有1GB,频率最高也才14GHz,往下还有12GHz和10GHz的版本,而最高级16GHz的版...
  • 2018-04-12 13:00:00
    在线矿机零售商MyRig发推展示了一个圆形的半导体薄片,是用于制造集成电路的。该公司表示这个规格为10nm的产品是由电子行业巨头三星制造的。三星从去年开始为一家不具名的公司生产用于比特币矿机的ASIC芯片。当时三星对这家公司的信息守口如瓶,只透露了这是一家中国公司。Halong是一家鲜为人知的矿机制造商,该公司的首台矿机DragonmintT1于去年正式推出,近期已经陆续发往客户手中。Bitcoi...
  • 2018-04-12 00:00:00
    三星(Samsung)正在为挖矿硬件制造商HalongMining生产ASIC芯片。在线矿机零售商MyRig发推展示了一个圆形的半导体薄片,是用于制造集成电路的。该公司表示这个规格为10nm的产品是由电子行业巨头三星制造的。三星从去年开始为一家不具名的公司生产用于比特币矿机的ASIC芯片。当时三星对这家公司的信息守口如瓶,只透露了这是一家中国公司。Halong是一家鲜为人知的矿机制造商,该公司的首...
  • 2018-07-13 00:00:00
    阿拉丁里程碑ASIC矿机采用10nm工艺,算力达16Th/s,整机约1400W,电源效率87.5J/TH,采用双风扇散热,工作噪音约76分贝。
  • 2018-11-07 00:00:00
    翼比特E11矿机采用亿邦最新自主研发的芯片,算力均值可达30TH/S。低功耗、高算力,采用独立散热片,散热更好。散热片采用最新粘合技术,外壳材质更坚固。
  • 2018-08-23 00:00:00
    翼比特E9i矿机采用亿邦最新自主研发的芯片,算力均值可达13.5TH/S。低功耗、高算力,采用独立散热片,散热更好。散热片采用最新粘合技术,外壳材质更坚固。
  • 2018-07-31 00:00:00
    翼比特E9.3矿机采用亿邦最新自主研发的10nm芯片,算力均值可达16TH/S。低功耗、高算力,采用独立散热片,散热更好。散热片采用最新粘合技术,外壳材质更坚固。
  • 2018-01-15 00:00:00
    翼比特E9.2矿机采用亿邦最新自主研发的10nm芯片,算力均值可达12TH/S。低功耗、高算力,采用独立散热片,散热更好。散热片采用最新粘合技术,外壳材质更坚固,为您的矿机提供更好的保护。
  • 2017-12-20 00:00:00
    翼比特E10矿机采用亿邦最新自主研发的10nmDW1228芯片,算力均值可达18TH/S,低功耗、高算力,采用独立散热片,散热更好。散热片采用最新粘合技术,外壳材质更坚固,为您的矿机提供更好的保护,为全球的矿工带来高效益。
  • 2018-06-08 00:00:00
    芯动科技(Innosilicon)推出T2-17.2T矿机,InnosiliconT2根据官方发布的数据算力约17.2TH/s(+-5%),耗电量:1430W(+10%,正常模式,效率93%PSU,25℃温度),操作温度:0°C-40°C(器件结温)。T2矿机属于一体式BTC矿机,无需另外购买电源,三块算力板上面分别有2个标准的pci-E6pin接口,默频实测约17.5TH/s左右,实际功耗150...
  • 2018-07-22 00:00:00
    芯动科技(Innosilicon)推出了另一款10nm的创新型SHA256采矿机,T2Turbo采矿机,InnosiliconT2T-24T根据官方发布的数据算力约24TH/s(+-5%),耗电量:1980W(+10%,正常模式,效率93%PSU,25℃温度),操作温度:0°C-40°C(器件结温)
  • 2018-08-19 00:00:00
    InnosiliconT2T-32T根据官方发布的数据算力约32TH/s(+-5%)耗电量:2200W(+10%,正常模式,效率93%PSU,25℃温度)操作温度:0°C-40°C(器件结温),能耗比68W/T
  • 2018-10-24 00:00:00
    InnosiliconT2T-25T根据官方发布的数据算力约25TH/s(+-5%),耗电量:2050W(+10%,正常模式,效率93%PSU,25℃温度),尺寸:单管,391毫米(升)*141毫米(W)*220毫米(高),净重:9.0KG,操作温度:0°C-45°C(器件结温)